产品名称:
AL2O3+GaN薄膜(N 型)
技术参数:
常规尺寸:dia2" ;
产品定位 :C轴 <0001>+/-1.0
厚度:20um or 30um
传导类型:N型掺Si
电阻率(300K):<0.05ohm.cm
位错密度:<1x10E8cm-2
可用表面积>90%
标准包装:
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装