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产品名称:AL2O3+GaN薄膜(N型)
型号:AL2O3+GaN薄膜(N型)
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产品名称:

AL2O3+GaN薄膜(N 型)




 

 

 

技术参数:

常规尺寸:dia2" ;

产品定位 :C轴 <0001>+/-1.0

厚度:20um or 30um

传导类型:N型掺Si

电阻率(300K)<0.05ohm.cm

位错密度:<1x10E8cm-2

可用表面积>90%

标准包装:

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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