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产品名称:AL2O3+AlGaN薄膜
型号:AL2O3+AlGaN薄膜
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产品名称:Al(0.9)Ga(0.1)N Epitxial Template on saphhire 

生长方法:HVPE

技术参数

尺寸:dia 50.8mm  +/- 0.25mm

晶向: c-axis (0001) +/- 1.0 o

产品类型: N-type,

电阻 < 0.5 Ohm-cm

正面: (Ga Face) As-grown

 反面 :Sapphire as-received finish

 可用表面: >90% 

 Edge Exclusion Area 1mm

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